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IPB180N06S4H1ATMA2

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产品型号
IPB180N06S4H1ATMA2
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPB180N06S4H1ATMA2.pdf
总计:$2.18665
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产品型号
IPB180N06S4H1ATMA2
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
180A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.7 mOhm @ 100A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 200µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
270nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
21900pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
250W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PG-TO263-7-3
封装/箱体
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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