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1N5552US

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产品型号
1N5552US
制造商
Microsemi
描述
DIODE GEN PURP 600V 3A D5B
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$14.12000
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(以美元)
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$14.12000

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产品型号
1N5552US
制造商
Microsemi
描述
DIODE GEN PURP 600V 3A D5B
零件状态
Active
二极管类型
Standard
电压 - (Vr)(最大)
600V
电流 - 平均整流(Io)
3A
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果
1.2V @ 9A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr)
2µs
电流 - Vr时反向漏电
1µA @ 600V
电容@ Vr,F时
-
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SQ-MELF, B
供应商设备封装
D-5B
工作温度 - 结
-65°C ~ 175°C

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