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NTLJD3115PT1G

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产品型号
NTLJD3115PT1G
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.21619
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$0.21619

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产品型号
NTLJD3115PT1G
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
零件状态
Active
FET型
2 P-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
2.3A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
100 mOhm @ 2A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
6.2nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
531pF @ 10V
功率 - 最大
710mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-WDFN Exposed Pad
供应商设备封装
6-WDFN (2x2)

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