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SI8902EDB-T2-E1

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产品型号
SI8902EDB-T2-E1
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI8902EDB-T2-E1.pdf
总计:$0.90345
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产品型号
SI8902EDB-T2-E1
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3.9A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
-
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 980µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
-
输入电容(CISS)(最大)的Vds
-
功率 - 最大
1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-MICRO FOOT®CSP
供应商设备封装
6-Micro Foot™ (2.36x1.56)

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