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TK7P65W,RQ

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产品型号
TK7P65W,RQ
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.66780
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产品型号
TK7P65W,RQ
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
6.8A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
800 mOhm @ 3.4A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
15nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
490pF @ 300V
FET特点
-
功率耗散(最大)
60W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
DPAK
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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