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IPC100N04S51R9ATMA1

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产品型号
IPC100N04S51R9ATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
N-CHANNEL30/40V
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPC100N04S51R9ATMA1.pdf
总计:$0.52273
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产品型号
IPC100N04S51R9ATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
N-CHANNEL30/40V
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
100A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
7V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.9 mOhm @ 50A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.4V @ 50µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
65nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
3770pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
100W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PG-TDSON-8-34
封装/箱体
8-PowerTDFN

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