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IPB120N04S4L02ATMA1

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产品型号
IPB120N04S4L02ATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH TO263-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPB120N04S4L02ATMA1.pdf
总计:$1.17137
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产品型号
IPB120N04S4L02ATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH TO263-3
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
120A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.7 mOhm @ 100A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.2V @ 110µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
190nC @ 10V
VGS(最大)
+20V, -16V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
14560pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
158W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
D²PAK (TO-263AB)
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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