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SFAS808GHMNG

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产品型号
SFAS808GHMNG
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SFAS808GHMNG.pdf
总计:$0.30305
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产品型号
SFAS808GHMNG
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
零件状态
Active
二极管类型
Standard
电压 - (Vr)(最大)
600V
电流 - 平均整流(Io)
8A
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果
1.7V @ 8A
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr)
35ns
电流 - Vr时反向漏电
10µA @ 600V
电容@ Vr,F时
60pF @ 4V, 1MHz
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装
TO-263AB (D²PAK)
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C

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