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FDFME3N311ZT

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产品型号
FDFME3N311ZT
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FDFME3N311ZT.pdf
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产品型号
FDFME3N311ZT
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
1.8A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
2.5V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
299 mOhm @ 1.6A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
1.4nC @ 4.5V
VGS(最大)
±12V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
75pF @ 15V
FET特点
Schottky Diode (Isolated)
功率耗散(最大)
1.4W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
6-MicroFET (1.6x1.6)
封装/箱体
6-UFDFN Exposed Pad

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