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SIHG11N80E-GE3

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产品型号
SIHG11N80E-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SIHG11N80E-GE3.pdf
总计:$4.54000
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$4.54000

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产品型号
SIHG11N80E-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
12A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
440 mOhm @ 5.5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
88nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1670pF @ 100V
FET特点
-
功率耗散(最大)
179W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-247AC
封装/箱体
TO-247-3

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