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NGTD28T65F2WP

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产品型号
NGTD28T65F2WP
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$4.06352
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$4.06352

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产品型号
NGTD28T65F2WP
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
零件状态
Active
IGBT类型
Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
-
电流 - 集电极脉冲(ICM)
200A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2V @ 15V, 75A
功率 - 最大
-
开关能量
-
输入类型
Standard
栅极电荷
-
TD(开/关)@ 25℃
-
测试条件
-
反向恢复时间(trr)
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
Die
供应商设备封装
Die

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