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BT258S-800R,118

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产品型号
BT258S-800R,118
制造商
WeEn Semiconductors Co., Ltd
描述
THYRISTOR 800V 8A DPAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
BT258S-800R,118.pdf
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产品型号
BT258S-800R,118
制造商
WeEn Semiconductors Co., Ltd
描述
THYRISTOR 800V 8A DPAK
零件状态
Active
电压 - 断路
800V
电压 - 栅极触发(VGT)(最大)
1.5V
电流 - 栅极触发(IGT)(最大值)
200µA
电压 - 导通状态(VTM)(最大)
1.6V
电流 - 导通状态(这(AV))(最大值)
5A
电流 - 导通状态(这(RMS))(最大值)
8A
电流 - 维持(Ih)(最大值)
6mA
电流 - 断态(最大值)
500µA
电流 - 非众议员浪涌50,60赫兹(ITSM)
75A, 82A
SCR类型
Sensitive Gate
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备封装
DPAK

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