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STB30NM60N

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产品型号
STB30NM60N
制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
STB30NM60N.pdf
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产品型号
STB30NM60N
制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
25A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
130 mOhm @ 12.5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
91nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2700pF @ 50V
FET特点
-
功率耗散(最大)
190W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
D2PAK
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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