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SSM6J216FE,LF

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产品型号
SSM6J216FE,LF
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
SSM6J216FE,LF
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
零件状态
Active
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
4.8A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.5V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
32 mOhm @ 3.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
12.7nC @ 4.5V
VGS(最大)
±8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1040pF @ 12V
FET特点
-
功率耗散(最大)
700mW (Ta)
工作温度
150°C
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
ES6
封装/箱体
SOT-563, SOT-666

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