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CDBJFSC10650-G

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产品型号
CDBJFSC10650-G
制造商
Comchip Technology
描述
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
CDBJFSC10650-G.pdf
总计:$5.88000
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$5.88000

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产品型号
CDBJFSC10650-G
制造商
Comchip Technology
描述
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
零件状态
Active
二极管类型
Silicon Carbide Schottky
电压 - (Vr)(最大)
650V
电流 - 平均整流(Io)
10A (DC)
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果
1.7V @ 10A
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间(trr)
0ns
电流 - Vr时反向漏电
100µA @ 650V
电容@ Vr,F时
710pF @ 0V, 1MHz
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-220-2 Full Pack
供应商设备封装
TO-220F
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C

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