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SSM6J53FE(TE85L,F)

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产品型号
SSM6J53FE(TE85L,F)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SSM6J53FE(TE85L,F).pdf
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产品型号
SSM6J53FE(TE85L,F)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
零件状态
Obsolete
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
1.8A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.5V, 2.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
136 mOhm @ 1A, 2.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
10.6nC @ 4V
VGS(最大)
±8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
568pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
500mW (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
ES6 (1.6x1.6)
封装/箱体
SOT-563, SOT-666

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