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TP65H050WS

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产品型号
TP65H050WS
制造商
Transphorm
描述
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$16.19000
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$16.19000

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产品型号
TP65H050WS
制造商
Transphorm
描述
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
34A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
12V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
60 mOhm @ 22A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4.8V @ 700µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
24nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1000pF @ 400V
FET特点
-
功率耗散(最大)
119W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-247-3
封装/箱体
TO-247-3

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