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RJK6013DPE-00#J3

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产品型号
RJK6013DPE-00#J3
制造商
Renesas Electronics America
描述
MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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产品型号
RJK6013DPE-00#J3
制造商
Renesas Electronics America
描述
MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
11A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
700 mOhm @ 5.5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
-
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
37.5nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1450pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
100W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
4-LDPAK
封装/箱体
SC-83

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