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1N1206A

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产品型号
1N1206A
制造商
GeneSiC Semiconductor
描述
DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
1N1206A.pdf
总计:$4.10428
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$4.10428

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产品型号
1N1206A
制造商
GeneSiC Semiconductor
描述
DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
零件状态
Active
二极管类型
Standard
电压 - (Vr)(最大)
600V
电流 - 平均整流(Io)
12A
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果
1.1V @ 12A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr)
-
电流 - Vr时反向漏电
10µA @ 50V
电容@ Vr,F时
-
安装类型
Chassis, Stud Mount
封装/箱体
DO-203AA, DO-4, Stud
供应商设备封装
DO-4
工作温度 - 结
-65°C ~ 200°C

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