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IDB30E60ATMA1

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产品型号
IDB30E60ATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IDB30E60ATMA1.pdf
总计:$1.37373
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产品型号
IDB30E60ATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
零件状态
Active
二极管类型
Standard
电压 - (Vr)(最大)
600V
电流 - 平均整流(Io)
52.3A (DC)
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果
2V @ 30A
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr)
126ns
电流 - Vr时反向漏电
50µA @ 600V
电容@ Vr,F时
-
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装
PG-TO263-3-2
工作温度 - 结
-40°C ~ 175°C

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