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EPC2101ENGRT

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产品型号
EPC2101ENGRT
制造商
EPC
描述
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
EPC2101ENGRT.pdf
总计:$4.77400
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产品型号
EPC2101ENGRT
制造商
EPC
描述
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点
GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
9.5A, 38A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
11.5 mOhm @ 20A, 5V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 2mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
2.7nC @ 5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
300pF @ 30V
功率 - 最大
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
Die
供应商设备封装
Die

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