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IXFN50N120SK

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产品型号
IXFN50N120SK
制造商
IXYS Corporation
描述
MOSFET N-CH
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IXFN50N120SK.pdf
总计:$59.66400
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产品型号
IXFN50N120SK
制造商
IXYS Corporation
描述
MOSFET N-CH
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏极至源极电压(Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
48A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
20V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
52 mOhm @ 40A, 20V
VGS(TH)(最大)标识
2.8V @ 10mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
115nC @ 20V
VGS(最大)
+20V, -5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1895pF @ 1000V
FET特点
-
功率耗散(最大)
-
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
供应商设备封装
SOT-227B
封装/箱体
SOT-227-4, miniBLOC

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