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IPI70N04S406AKSA1

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产品型号
IPI70N04S406AKSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPI70N04S406AKSA1.pdf
总计:$0.76932
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产品型号
IPI70N04S406AKSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
70A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
6.5 mOhm @ 70A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 26µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
32nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2550pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
58W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
PG-TO262-3
封装/箱体
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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