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BSZ0501NSIATMA1

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产品型号
BSZ0501NSIATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 30V 25A 8SON
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
BSZ0501NSIATMA1.pdf
总计:$0.62733
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产品型号
BSZ0501NSIATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 30V 25A 8SON
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
25A (Ta), 40A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
2 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
33nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2000pF @ 15V
FET特点
-
功率耗散(最大)
2.1W (Ta), 50W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PG-TSDSON-8-FL
封装/箱体
8-PowerTDFN

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