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2SJ438,Q(M

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产品型号
2SJ438,Q(M
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET P-CH
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
2SJ438,Q(M.pdf
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产品型号
2SJ438,Q(M
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET P-CH
零件状态
Obsolete
FET型
-
技术
-
漏极至源极电压(Vdss)
-
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
-
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
-
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
-
VGS(TH)(最大)标识
-
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
-
VGS(最大)
-
输入电容(CISS)(最大)的Vds
-
FET特点
-
功率耗散(最大)
-
工作温度
-
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-220NIS
封装/箱体
TO-220-3 Full Pack

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