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APTSM120AM14CD3AG

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产品型号
APTSM120AM14CD3AG
制造商
Microsemi
描述
POWER MODULE - SIC
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$432.81150
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(以美元)
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$432.81150

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产品型号
APTSM120AM14CD3AG
制造商
Microsemi
描述
POWER MODULE - SIC
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET特点
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压(Vdss)
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
337A (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
11 mOhm @ 180A, 20V
VGS(TH)(最大)标识
3V @ 9mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
1224nC @ 20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
23000pF @ 1000V
功率 - 最大
2140W
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
供应商设备封装
Module

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