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RUE002N02TL

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产品型号
RUE002N02TL
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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产品型号
RUE002N02TL
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
零件状态
Not For New Designs
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
200mA (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.2V, 2.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
-
VGS(最大)
±8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
25pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
150mW (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
EMT3
封装/箱体
SC-75, SOT-416

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