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NTLJD3182FZTBG

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产品型号
NTLJD3182FZTBG
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
NTLJD3182FZTBG
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
零件状态
Obsolete
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
2.2A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.8V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
100 mOhm @ 2A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
7.8nC @ 4.5V
VGS(最大)
±8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
450pF @ 10V
FET特点
Schottky Diode (Isolated)
功率耗散(最大)
710mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
6-WDFN (2x2)
封装/箱体
6-WDFN Exposed Pad

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