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IXTA06N120P

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产品型号
IXTA06N120P
制造商
IXYS Corporation
描述
MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IXTA06N120P.pdf
总计:$3.14000
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$3.14000

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产品型号
IXTA06N120P
制造商
IXYS Corporation
描述
MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
600mA (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
32 Ohm @ 300mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4.5V @ 50µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
13.3nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
270pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
42W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
TO-263 (IXTA)
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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