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APTM120A80FT1G

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产品型号
APTM120A80FT1G
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
APTM120A80FT1G.pdf
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产品型号
APTM120A80FT1G
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
14A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
960 mOhm @ 12A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
5V @ 2.5mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
260nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
6696pF @ 25V
功率 - 最大
357W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SP1
供应商设备封装
SP1

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