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SI1315DL-T1-GE3

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产品型号
SI1315DL-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET P-CH 8V 0.9A SC70-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI1315DL-T1-GE3.pdf
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产品型号
SI1315DL-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET P-CH 8V 0.9A SC70-3
零件状态
Obsolete
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
8V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
900mA (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.8V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
336 mOhm @ 800mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
800mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
3.4nC @ 4.5V
VGS(最大)
±8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
112pF @ 4V
FET特点
-
功率耗散(最大)
300mW (Ta), 400mW (Tc)
工作温度
-50°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
SOT-323
封装/箱体
SC-70, SOT-323

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