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STFI15N60M2-EP

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产品型号
STFI15N60M2-EP
制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
STFI15N60M2-EP.pdf
总计:$2.49000
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$2.49000

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产品型号
STFI15N60M2-EP
制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
11A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
378 mOhm @ 5.5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
17nC @ 10V
VGS(最大)
±25V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
590pF @ 100V
FET特点
-
功率耗散(最大)
25W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
I2PAKFP (TO-281)
封装/箱体
TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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