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TPS1101DG4

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产品型号
TPS1101DG4
制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
TPS1101DG4.pdf
总计:$1.65000
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$1.65000

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产品型号
TPS1101DG4
制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
零件状态
Active
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
15V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
2.3A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
2.7V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
90 mOhm @ 2.5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
11.25nC @ 10V
VGS(最大)
+2V, -15V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
-
FET特点
-
功率耗散(最大)
791mW (Ta)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
8-SOIC
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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