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BSZ215CHXTMA1

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产品型号
BSZ215CHXTMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
BSZ215CHXTMA1.pdf
总计:$0.51205
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产品型号
BSZ215CHXTMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
零件状态
Active
FET型
N and P-Channel Complementary
FET特点
Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
5.1A, 3.2A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
55 mOhm @ 5.1A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.4V @ 110µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
2.8nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
419pF @ 10V
功率 - 最大
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerTDFN
供应商设备封装
PG-TSDSON-8

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