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BYC30B-600PJ

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产品型号
BYC30B-600PJ
制造商
WeEn Semiconductors Co., Ltd
描述
DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
BYC30B-600PJ.pdf
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产品型号
BYC30B-600PJ
制造商
WeEn Semiconductors Co., Ltd
描述
DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
零件状态
Active
二极管类型
Standard
电压 - (Vr)(最大)
600V
电流 - 平均整流(Io)
30A
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果
2.75V @ 30A
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr)
35ns
电流 - Vr时反向漏电
10µA @ 600V
电容@ Vr,F时
-
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
工作温度 - 结
175°C (Max)

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