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IXTT10N100D2

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产品型号
IXTT10N100D2
制造商
IXYS Corporation
描述
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IXTT10N100D2.pdf
总计:$10.50800
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产品型号
IXTT10N100D2
制造商
IXYS Corporation
描述
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
1000V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
10A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.5 Ohm @ 5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
-
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
200nC @ 5V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
5320pF @ 25V
FET特点
Depletion Mode
功率耗散(最大)
695W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
TO-268
封装/箱体
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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