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FDC637BNZ

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产品型号
FDC637BNZ
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FDC637BNZ.pdf
总计:$0.11489
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产品型号
FDC637BNZ
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
6.2A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
2.5V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
12nC @ 4.5V
VGS(最大)
±12V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
895pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
1.6W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
SuperSOT™-6
封装/箱体
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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