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SCT50N120

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产品型号
SCT50N120
制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SCT50N120.pdf
总计:$42.10000
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$42.10000

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产品型号
SCT50N120
制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏极至源极电压(Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
65A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
20V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
69 mOhm @ 40A, 20V
VGS(TH)(最大)标识
3V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
122nC @ 20V
VGS(最大)
+25V, -10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1900pF @ 400V
FET特点
-
功率耗散(最大)
318W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
HiP247™
封装/箱体
TO-247-3

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