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IPDD60R190G7XTMA1

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产品型号
IPDD60R190G7XTMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPDD60R190G7XTMA1.pdf
总计:$1.48175
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产品型号
IPDD60R190G7XTMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
13A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
190 mOhm @ 4.2A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 210µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
18nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
718pF @ 400V
FET特点
-
功率耗散(最大)
76W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PG-HDSOP-10-1
封装/箱体
10-PowerSOP Module

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