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SI1056X-T1-GE3

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产品型号
SI1056X-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N-CH 20V SC-89-6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI1056X-T1-GE3.pdf
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产品型号
SI1056X-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N-CH 20V SC-89-6
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
-
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.8V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
89 mOhm @ 1.32A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
950mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
8.7nC @ 5V
VGS(最大)
±8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
400pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
236mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
SC-89-6
封装/箱体
SOT-563, SOT-666

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