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TJ60S04M3L(T6L1,NQ

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产品型号
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.79800
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产品型号
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3
零件状态
Active
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
60A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
6V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
6.3 mOhm @ 30A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
125nC @ 10V
VGS(最大)
+10V, -20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
6510pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
90W (Tc)
工作温度
175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
DPAK+
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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