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FF50R12RT4HOSA1

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产品型号
FF50R12RT4HOSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
IGBT MODULE 1200V 50A
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FF50R12RT4HOSA1.pdf
总计:$48.20000
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(以美元)
1pcs
$48.20000

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产品型号
FF50R12RT4HOSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
IGBT MODULE 1200V 50A
零件状态
Active
IGBT类型
Trench Field Stop
组态
Half Bridge
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
50A
功率 - 最大
285W
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.15V @ 15V, 50A
电流 - 集电极截止(最大)
1mA
输入电容(连锁商店)@的Vce
2.8nF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻器
No
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
供应商设备封装
Module

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