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IXTP6N100D2

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产品型号
IXTP6N100D2
制造商
IXYS Corporation
描述
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IXTP6N100D2.pdf
总计:$5.99000
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$5.99000

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产品型号
IXTP6N100D2
制造商
IXYS Corporation
描述
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
1000V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
6A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
-
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
2.2 Ohm @ 3A, 0V
VGS(TH)(最大)标识
-
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
95nC @ 5V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2650pF @ 25V
FET特点
Depletion Mode
功率耗散(最大)
300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-220AB
封装/箱体
TO-220-3

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