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RT1A050ZPTR

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产品型号
RT1A050ZPTR
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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产品型号
RT1A050ZPTR
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
零件状态
Active
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
5A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.5V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
26 mOhm @ 5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
34nC @ 4.5V
VGS(最大)
±10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2800pF @ 6V
FET特点
-
功率耗散(最大)
600mW (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
8-TSST
封装/箱体
8-SMD, Flat Lead

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