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LND01K1-G

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产品型号
LND01K1-G
制造商
Microchip Technology
描述
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.33166
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产品型号
LND01K1-G
制造商
Microchip Technology
描述
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
9V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
330mA (Tj)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
0V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.4 Ohm @ 100mA, 0V
VGS(TH)(最大)标识
-
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
-
VGS(最大)
+0.6V, -12V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
46pF @ 5V
FET特点
Depletion Mode
功率耗散(最大)
360mW (Ta)
工作温度
-25°C ~ 125°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
SOT-23-5
封装/箱体
SC-74A, SOT-753

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