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TK1K9A60F,S4X

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产品型号
TK1K9A60F,S4X
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.91000
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产品型号
TK1K9A60F,S4X
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3.7A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.9 Ohm @ 1.9A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 400µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
14nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
490pF @ 300V
FET特点
-
功率耗散(最大)
30W (Tc)
工作温度
150°C
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-220SIS
封装/箱体
TO-220-3 Full Pack

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