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EM6M1T2R

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产品型号
EM6M1T2R
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
EM6M1T2R.pdf
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产品型号
EM6M1T2R
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
零件状态
Not For New Designs
FET型
N and P-Channel
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
30V, 20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
100mA, 200mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
8 Ohm @ 10mA, 4V
VGS(TH)(最大)标识
-
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
0.9nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
13pF @ 5V
功率 - 最大
150mW
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-563, SOT-666
供应商设备封装
EMT6

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