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IXFT6N100F

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产品型号
IXFT6N100F
制造商
IXYS RF/Littelfuse
描述
MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IXFT6N100F.pdf
总计:$10.03000
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产品型号
IXFT6N100F
制造商
IXYS RF/Littelfuse
描述
MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
1000V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
6A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.9 Ohm @ 3A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
5.5V @ 2.5mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
54nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1770pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
180W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
TO-268 (IXFT)
封装/箱体
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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