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TH58BYG2S3HBAI4

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产品型号
TH58BYG2S3HBAI4
制造商
Toshiba Memory America, Inc.
描述
4G SLC NAND BGA 24NM
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
TH58BYG2S3HBAI4.pdf
总计:$7.75000
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$7.75000

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产品型号
TH58BYG2S3HBAI4
制造商
Toshiba Memory America, Inc.
描述
4G SLC NAND BGA 24NM
零件状态
Active
内存类型
Non-Volatile
存储格式
FLASH
技术
FLASH - NAND (SLC)
内存大小
4Gb (512M x 8)
时钟频率
-
写周期时间 - 字,页面
-
访问时间
-
内存接口
-
电压 - 电源
-
工作温度
-40°C ~ 85°C
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
63-VFBGA
供应商设备封装
63-TFBGA (9x11)

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