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TSM6N50CH C5G

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产品型号
TSM6N50CH C5G
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 500V 5.6A TO251
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
TSM6N50CH C5G.pdf
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产品型号
TSM6N50CH C5G
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 500V 5.6A TO251
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
5.6A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.4 Ohm @ 2.8A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
25nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
900pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
90W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-251 (IPAK)
封装/箱体
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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